RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
96
Wokół strony -159% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3448
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link