RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
96
Wokół strony -256% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2577
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link