RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
96
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
73
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1638
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link