RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
96
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1998
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link