RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
96
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3189
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link