RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
96
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2439
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link