RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
72
96
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
72
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1728
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link