RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
96
Wokół strony -191% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2994
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link