RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
96
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3420
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link