RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
96
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3604
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link