RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
96
Wokół strony -191% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3574
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link