RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
96
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
4122
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link