RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
96
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2951
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link