RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
96
101
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
101
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1382
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Panram International Corporation PUD32800C124G2LSK 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link