RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
96
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2276
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link