RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
96
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
42
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2427
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link