RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
96
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3005
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link