RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
96
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
49
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2374
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link