RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
96
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
6400
Wokół strony 2.73 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
52
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17500
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2319
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link