RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
96
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
52
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2260
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link