RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
96
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
43
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2532
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link