RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
96
Wokół strony -284% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2781
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link