RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
96
Wokół strony -357% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3168
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link