RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
96
Wokół strony -317% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3147
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link