RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
96
Wokół strony -357% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3042
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link