RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
96
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2482
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link