RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
96
Wokół strony -317% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2922
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link