RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
96
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2124
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link