RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
96
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2920
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link