RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
96
Wokół strony -284% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2681
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT425S6AFR6A
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link