RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
96
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2959
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link