RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
73
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
73
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
1468
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link