RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
3609
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link