RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3419
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology HYQVF1B16 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link