RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 34

Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

17.4 8.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.5 5.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

23400 10600

Rund um 2.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1682 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns