RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
4124
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link