RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
2574
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link