RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3332
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-004.A00LF 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link