RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
3061
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link