RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
55
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
2701
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link