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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
66
Por volta de -267% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
13.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
13.2
17.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2429
3814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
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