RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
66
Около -267% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
13.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
13.2
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2429
3814
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link