RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparar
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
40
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
11.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.9
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.3
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1654
2512
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link