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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
40
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
37
读取速度,GB/s
11.3
13.0
写入速度,GB/s
7.5
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2512
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
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