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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
11.8
12.4
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1886
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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