RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
94
Por volta de -453% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.2
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
17
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
21.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
17.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3714
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link