RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
94
Wokół strony -453% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
17
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3714
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link