RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
94
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
50
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
7.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
2326
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Mushkin 994083 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link