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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
50
94
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.5
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
50
读取速度,GB/s
1,882.0
12.5
写入速度,GB/s
1,165.4
7.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2326
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
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