RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
94
Por volta de -147% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
38
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
2148
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link